当VUSB进行供电时(5V),PMOS的G端:为5V,此时PMOS不导通,电压经过二极管D1直接到达VCC。如下图:
当VUSB断开后,PMOS的G端的电压(5V)由电阻R1下拉到GND,此时PMOS导通,VCC由VBAT(为锂电池)供电。如下图:
在这里加以说明:在MOS管还未导通之前,S端的电压比G端的要高,因此MOS管会导通,导通以后MOS管的寄生二极管会短路,并不再起作用。
我们来看下面这个电路,相较于前面的电路,它利用了MOS管的低导通RDS(on)特性,提高了电路的效率。
当VIN1(主电源)为3.3V时,Q1的NMOS导通,接着拉低了Q3 PMOS的栅极, Q3 开始导通。
此时Q2 MOS的G-S之间的电压等于Q3 PMOS的导通压降,大概为几十mV。因此Q2 MOS管关闭,VIN2(外部电源)断开,VOUT由VIN1进行供电,此时VOUT=3.3V。
讲到这里我们可以看到,当电路由VIN2(外部电源)供电时,静态功耗“消失了”直接为0。整个电路几乎不存在压降,除非电流很大。
不过,也有网友反应,这个电路在主电源下降过程中,可能会存在一些问题:Q3未完全关断而Q2就开始导通,外电源通过Q2、Q3形成通路,阻止了主电源的降低。
智能控制器以微处理器为核心,可精确检测两路三相电压,对出现的电压异常(失电、过压、欠压、缺相)做出准确的判断,经延时后控制ATS
智能控制器 /
控制原理图 /
开关依照应用类型(操纵负荷的工作能力)关键分成下列二种种类: A.AC-33B:可用电机混和负荷。既包括电机、电阻器负荷和30%下列日光灯负荷,接入与开断电