这种方案设计简单,占用印制电路板面积小。但它存在两个缺点:VD2的正向电压(大约为0.4V)降低了
另外,VD2的正向电压也浪费了电池的功率,二极管VD2所耗散的功率等于负载电流乘以正向压降。
在图2中,用一个P沟道MOSFET代替图1中的二极管VD2。切换到电池时,MOS-FET导通,电池向负载供电。接入交流适配器时,MOSFET的栅极电压高于其源极电压,处于关断状态,从而切断了电池与负载的连接。
对100mA的负载电流,一个导通电阻为50mD的P沟道MOSFET的电压降为O.5mV,耗电仅0.5mW。而图1所示的二极管配置方式,电压降为400mV,功率损耗为40mW。MOSFET的导通电阻依赖于它的栅极偏置。
在图2中,当去掉交流电源时,MOSFET的栅极电压为零,源极为电池电压。MOSFET的导通电阻应在此偏压下足够低,保证在最大负载电流下能够获得所期望的输出电压。因此,应尽量选用低阈值的MOSFET管。
3、SYS_PWR_HOLD电源保持,高电平有效,当采用轻触开关,或者系统想自己控制关机时有用
1、电源开关使用轻触开关,通过检测PWR_KEY_DET状态,控制SYS_PWR_HOLD,实现长按xx秒,系统开机,长按xx秒,系统关机。
2、车载设备,D17外接AC信号,实现汽车点火,设备自动开机,汽车熄火,延时xx时间后,自动关机。
3、使用自锁开关,断开D17,不用PWR_KEY_DET与SYS_PWR_HOLD,实现外接电源与内置电源自动切换,及小自锁开关控制大电流通断。
的案例 /
。主电源的接触器线圈走继电器的常开触点,备用电源的接触器线圈走继电器的常闭触点。主线路有电的时候,继电器吸合,常开触点闭合,主线w
详细资料分析 /
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